http://npc-news.ru/

MeRAM – усовершенствованный тип магниторезистивной памяти

Сверхбыстрая, обладающая высокой производительностью и устойчивостью к перезаписи, магниторезистивная компьютерная память произвольного доступа (MRAM) улучшена учеными из Университета Калифорния, Лос-Анжелес, США

Улучшенный тип памяти исследователи назвали MeRAM. Главное преимущество памяти MeRAM над существующими видами памяти, например, наиболее известной DRAM, в энергонезависимости – способности сохранения данных в отсутствие электропитания. В этом плане MeRAM аналогична накопителям на жестких дисках, использующим магнитный способ записи информации, и полупроводниковой флэш-памяти, но работает много быстрее.

Современные модули магнитной памяти базируются на технологии, называемой переносом спинового момента (STT), использующей в дополнение к заряду электрона его магнитное квантовое свойство — спин. В таких модулях токи записи представляют собой потоки электронов с преимущественной ориентацией магнитных моментов.

Несмотря на то, что технология STT обладает многими преимуществами в сравнении с другими технологиями памяти, ее основанный на электрическом токе способ записи все же требует энергетических затрат, что означает генерацию тепла в процессе работы. Кроме того, емкость такой памяти ограничена тем, насколько близко физически могут быть размещены биты данных. Этот процесс сам по себе ограничен токами, необходимыми для записи информации. Низкая ёмкость бита, в свою очередь, вызывает относительно высокую его стоимость, что сужает область применения новой технологии.

В новом виде памяти MeRAM для переключения информационных битов ученые заменили электрический ток разностью потенциалов. Отсутствие перемещения большого количества электронов через проводник приводит к тому, что блок памяти компьютера выделяет меньше тепла. Это увеличивает энергетическую эффективность на несколько порядков. Кроме того, память становится более чем в 5 раз более плотной, что позволяет большему количеству бит разместиться на одном физическом пространстве. Это также даёт снижение стоимости бита такой памяти.

MeRAM базируется на наноструктурах, состоящих из стопок чередующихся магнитных слоев и называемых контролируемым напряжением переходом магнетик-изолятор. Направление магнитной поляризации в одном из слоев фиксировано, а в слое второго типа оно может изменяться электрическим полем. Устройство нацелено на то, чтобы быть управляемым электрическим полем. При включении электрического поля создается разность потенциалов между слоями двух магнетиков. Это обогащает или обедняет электронами поверхности слоев, записывая тем самым биты информации в память.

Сообщение о первом коммерческом чипе памяти STT- RAM также расширяет возможности MeRAM, так как обе эти технологии имеют схожие процессы изготовления и базируются на одних материалах. Поддерживая совместимость с имеющейся в настоящий момент технологией логического тока STT-RAM, технология MeRAM в тоже время снимает ограничения в мощности и плотности.

Спинтронные устройства рассмотренного типа потенциально значимы и вне производства компьютерной памяти. Они могут составить основу мгновенных электронных систем высокой функциональности, в которых память интегрирована с логикой


Добавить комментарий

You can use these HTML tags

<a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <s> <strike> <strong>